具有垂直层叠跨接的存储单元设计

摘要

一种具有垂直层叠跨接(520，521)的存储单元(50)。在现有的存储单元中，存储单元内的跨接连接在相同的器件层中实现。由于在布线设计中需要跨接并排地设置。所以浪费了有用的设计空间。本发明在不同的器件层上用不同的材料实现跨接。因此跨接可以垂直地层叠于彼此的顶部，减少了存储单元的面积。

主权项

1.一种半导体存储单元，包括：具有第一输入和第一输出的第一逻辑门；具有第二输入和第二输出的第二逻辑门；包括第一跨接连接的栅层，所述第一跨接连接直接将所述第一输入连接到所述第二输出；以及包括第二跨接连接的金属互连层，所述第二跨接连接直接将所述第二输入连接到所述第一输出，所述第二跨接连接形成在部分所述第一跨接连接上而不与所述第一跨接连接相接触，以便从顶部看去，所述第一和第二跨接连接重叠。