发明名称 |
磁控溅射制备减摩IF-WS<SUB>2</SUB>/IF-MoS<SUB>2</SUB>复合薄膜的方法 |
摘要 |
一种固体润滑技术领域的磁控溅射制备减摩IF-WS<SUB>2</SUB>/IF-MoS<SUB>2</SUB>复合薄膜的方法。本发明采用IF-WS<SUB>2</SUB>靶材与IF-MoS<SUB>2</SUB>共溅射,通过调节二者的功率,溅射气压、偏压制备出减摩IF-WS<SUB>2</SUB>/IF-MoS<SUB>2</SUB>复合薄膜,具体工艺参数为:气压为0.1~1Pa,电源功率为100~300W,基体的偏压为-100V。由于复合薄膜中IF-WS<SUB>2</SUB>和IF-MoS<SUB>2</SUB>两种固体润滑剂,由于结构相同,晶格常数接近而发生特殊的物理化学作用,使得该减摩复合薄膜在大气和真空环境都具有低的摩擦系数,具有较高的耐潮湿、抗氧化性能和很高的耐磨性能,同时由于溅射有金属Ni中间层,使得薄膜基底有较高的结合力,可用于制造在真空和潮湿空气中交叉使用的轴承、陀螺仪和齿轮等零部件表面的减摩防护薄膜。 |
申请公布号 |
CN100387750C |
申请公布日期 |
2008.05.14 |
申请号 |
CN200510030259.1 |
申请日期 |
2005.09.30 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
何丹农;尹桂林;涂江平;夏正志;余震 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/06(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1.一种磁控溅射制备减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜的方法,其特征在于:IF-WS2靶材与IF-MoS2靶材共溅射,通过调节二者的功率,溅射气压、偏压制备出减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜,磁控溅射工艺参数为:气压为0.1~1Pa,功率为100~300W,基体的偏压为-100V。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |