发明名称 磁控溅射制备减摩IF-WS<SUB>2</SUB>/IF-MoS<SUB>2</SUB>复合薄膜的方法
摘要 一种固体润滑技术领域的磁控溅射制备减摩IF-WS<SUB>2</SUB>/IF-MoS<SUB>2</SUB>复合薄膜的方法。本发明采用IF-WS<SUB>2</SUB>靶材与IF-MoS<SUB>2</SUB>共溅射,通过调节二者的功率,溅射气压、偏压制备出减摩IF-WS<SUB>2</SUB>/IF-MoS<SUB>2</SUB>复合薄膜,具体工艺参数为:气压为0.1~1Pa,电源功率为100~300W,基体的偏压为-100V。由于复合薄膜中IF-WS<SUB>2</SUB>和IF-MoS<SUB>2</SUB>两种固体润滑剂,由于结构相同,晶格常数接近而发生特殊的物理化学作用,使得该减摩复合薄膜在大气和真空环境都具有低的摩擦系数,具有较高的耐潮湿、抗氧化性能和很高的耐磨性能,同时由于溅射有金属Ni中间层,使得薄膜基底有较高的结合力,可用于制造在真空和潮湿空气中交叉使用的轴承、陀螺仪和齿轮等零部件表面的减摩防护薄膜。
申请公布号 CN100387750C 申请公布日期 2008.05.14
申请号 CN200510030259.1 申请日期 2005.09.30
申请人 上海交通大学 发明人 何丹农;尹桂林;涂江平;夏正志;余震
分类号 C23C14/35(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/06(2006.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 1.一种磁控溅射制备减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜的方法,其特征在于:IF-WS2靶材与IF-MoS2靶材共溅射,通过调节二者的功率,溅射气压、偏压制备出减摩IF-WS2/IF-MoS2复合薄膜,磁控溅射工艺参数为:气压为0.1~1Pa,功率为100~300W,基体的偏压为-100V。
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