发明名称 |
Mg<SUB>2</SUB>Si/Mg-9Al-Y高阻尼复合材料 |
摘要 |
一种材料技术领域的Mg<SUB>2</SUB>Si/Mg-9Al-Y高阻尼结构复合材料,组分及重量百分比组成为:6~10%Al,1~5%Si,0.4~1%Y,0.1~0.8%RE,0.5~0.6%Sb,杂质元素Fe、Ni、Na、K总含量小于0.08%,其余为Mg。本发明利用添加铝硅中间合金原位反应生成Mg<SUB>2</SUB>Si/Mg-9Al-Y复合材料,Si极低的固溶度以及Mg<SUB>2</SUB>Si的低热膨胀系数等优点克服了在提高材料力学性能同时降低阻尼性能的矛盾。同时利用Sb变质处理避免了粗大的汉字状Mg<SUB>2</SUB>Si对力学性能的负面影响。本发明通过普通的铸造方法制备出力学性能和阻尼性能兼顾的结构功能一体化材料。 |
申请公布号 |
CN100387742C |
申请公布日期 |
2008.05.14 |
申请号 |
CN200510110428.2 |
申请日期 |
2005.11.17 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
廖利华;王浩伟;李险峰;马乃恒;张修庆 |
分类号 |
C22C23/02(2006.01) |
主分类号 |
C22C23/02(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1.一种Mg2Si/Mg-9Al-Y高阻尼结构复合材料,其特征在于,各组分及重量百分比为:6~10%Al,1~5%Si,0.4~1%Y,0.1~0.8%RE,0.5~0.6%Sb,杂质元素Fe、Ni、Na、K总含量小于0.08%,其余为Mg。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |