不随工艺变化的带隙基准电路和方法

摘要

集成电路产生和环境温度或制造工艺变化无关的恒定的基准电压Vref。补偿电路自适应地补偿带隙基准电压中引起的任何偏差。与Vbe偏离标称值的偏差成比例的电流被注入到发射极－基极结，以使Vbe等于标称值。由于负反馈，放大器350使节点351－352保持在相同电位，使得与双极型晶体管315－316的基极－发射极电压之间的差值成比例的电流流过电阻器321－324。这个电流与绝对温度成比例(PTAT)并且产生了与绝对温度成比例的电压降。电压Vref是电阻器323、324两端的电压降和晶体管316的Vbe之和，电压Vref不随温度的变化而变化。与Vbe1－Vbe2之差成比例的PTAT项对工艺保持不变。

主权项

1.一种集成电路，其包括：接收基准信号的部件；和基于带隙基准产生所述基准信号的基准产生电路，所述基准信号依赖于出现在结两端的第一电压，所述第一电压依赖于用于实现所述集成电路的制造工艺，所述基准产生电路自适应地将所述基准信号的强度调整为预定值，而和所述制造工艺的变化无关。