发明名称 |
SOI高压器件 |
摘要 |
SOI高压器件,属于电子技术领域中的SOI高压半导体器件。本发明提供的SOI高压器件包括二极管、LDMOS和LIGBT,其主要技术方案是将常规实心形状的阴极/漏极/集电极改成环形形状的阴极/漏极/集电极,使SOI高压器件工作于截止状态时的纵向电场分布的更加均匀,从而提高SOI高压器件击穿电压。本发明摒弃了通常采用的以提高I层耐压为途径来提高SOI高压器件纵向耐压的方式,通过改变器件局部结构以提高顶硅层耐压为途径同样达到提高SOI高压器件纵向耐压的效果,本发明可与常规CD工艺全兼容,与常规SOI高压器件的制备工艺相比不增加工艺难度及成本,具备很强的可实施性。 |
申请公布号 |
CN101179097A |
申请公布日期 |
2008.05.14 |
申请号 |
CN200710050657.9 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
方健;周贤达;张波;乔明 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/739(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种SOI高压二极管,包括衬底(5)、I层(7)、漂移区(2)、阳极(1)、阴极(3)、阳极金属引线(6)和阴极金属引线(4);其特征在于,阴极(3)为环形重掺杂阴极。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |