| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件制造方法，其特征在于包括：第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；第二步骤，其在堆叠于所述基板上的叠层用基板中形成导通孔，并且用导电膏填入所述导通孔，在所述叠层用基板的第一主表面上形成有导电层，所述导通孔从所述叠层用基板的第二主表面到达所述导电层；第三步骤，其通过绝缘层将所述叠层用基板附着到所述基板上，并且通过所述导电膏连接所述导电层与所述凸点；以及第四步骤，其将所述基板分割成单独的块。 | ||
| 申请公布号 | CN101179036A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710163792.4 | 申请日期 | 2007.11.08 |
| 申请人 | 新光电气工业株式会社 | 发明人 | 町田洋弘;小林敏男 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；第二步骤，其在堆叠于所述基板上的叠层用基板中形成导通孔，并且用导电膏填入所述导通孔，在所述叠层用基板的第一主表面上形成有导电层，所述导通孔从所述叠层用基板的第二主表面到达所述导电层；第三步骤，其通过绝缘层将所述叠层用基板附着到所述基板上，并且通过所述导电膏连接所述导电层与所述凸点；以及第四步骤，其将所述基板分割成单独的块，其中，所述凸点穿透所述绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本长野县 | ||