| 主权项 |
1.一种用于操作具有靶子(15)之溅镀阴极(11)的方法 ,其中溅镀阴极(11)及靶子(15)系相对一磁场(60、61) 移动及通过此磁场(60、61),藉此该具有靶子(15)之 溅镀阴极(11)系移动于一第一方向,且随即移动于 一与该第一方向相反之方向,其特征为复数个具有 个别之靶子(15-18)的溅镀阴极(11-14)被并列配置,且 该等靶子(15-18)为电导性靶子(15-18)。 2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为该等溅镀 阴极及靶子系被提供为平面式。 3.如申请专利范围第1项之方法,其特征为该等溅镀 阴极(11-14)系管式阴极,并随同其等个别之管状靶 子(15-18)以一角速度于一第一方向旋转大约至少360 度,且随即以一角速度于一与该第一方向相反的方 向旋转大约至少360度。 4.如申请专利范围第3项之方法,其特征为于大约至 少360度之一旋转期间的角速度系固定的。 5.如申请专利范围第3项之方法,其特征为于大约至 少360度之一旋转期间的角速度系变化的。 6.如申请专利范围第3项之方法,其特征为该等靶子 (15-18)系大约360度地旋转n次,在此n系一整数,且适 用n>1。 7.如申请专利范围第3项之方法,其特征为该等管式 阴极(2-5)之纵向轴系互相平行地被定向。 8.如申请专利范围第3项之方法,其特征为所有管式 阴极(11-14)之角速度系相等的。 9.如申请专利范围第3项之方法,其特征为至少二管 式阴极之角速度系不相等的。 10.如申请专利范围第1至9项中之一或数项之方法, 其特征为一基板(6)被设置在离该等靶子(15-18)一段 距离处。 11.如申请专利范围第7项之方法,其特征为一基板( 16)系设置成平行于该等管式阴极(2-5)之纵向轴。 12.如申请专利范围第7或11项之方法,其特征为该等 管式阴极(2-5)之纵向轴系旋转轴,且设置在一共同 平面中。 13.如申请专利范围第3项之方法,其特征为所有管 式阴极(11-14)具有由相同材料所组成之靶子(15-18) 。 14.如申请专利范围第1项之方法,其特征为该等相 对移动之于该第一方向移动之时间t1及于该第二 方向移动之时间t2系相等的。 15.如申请专利范围第1项之方法,其特征为该等相 对移动之于该第一方向移动之时间t1及于该第二 方向移动之时间t2系不相等的。 图式简单说明: 第1图系数个平行地设置于一溅镀室中之管式阴极 ; 第2图系在具有数个管式阴极之溅镀单元的一静态 操作下,于一基板上之涂层厚度分布; 第3图系在具有数个阴极之溅镀单元的一动态操作 下,使该等阴极在一第一方向中旋转,所显示之于 一基板上之涂层厚度分布; 第4图系在具有数个阴极之溅镀单元的一动态操作 下,使该等阴极在一第二方向中旋转,所显示之于 一基板上之涂层厚度分布; 第5图系贯穿一管式阴极之横剖面视图; 第6图系贯穿一电浆室之纵剖面视图。 |
