| 主权项 |
1.一种上发射型的有机电场发光型显示装置,其特 征在于:在基板上的显示区域的各像素上形成薄膜 电晶体,由有机树脂构成的平坦化层,及在该平坦 化层上依序积层至少阳极、电场发光层、以及阴 极的有机EL元件,同时前述阳极系由在Al中至少添 加氮(N)原子以作为不纯物的Al合金膜,以及在其最 上层上积层透光性导电氧化膜的至少二层膜所构 成。 2.如申请专利范围第1项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述Al合金膜包含的氮原子的组成比 系5 at%以上、26 at%以下。 3.如申请专利如申请专利范围第1项所述的有机电 场发光型显示装置,其中在前述Al合金膜中更包含 至少1种以上的8族3d的过渡金属。 4.如申请专利范围第3项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述Al合金膜包含的8族3d的过渡金属 的组成比系0.5 at%以上、15 at%以下。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项所述的有机电 场发光型显示装置,其中,在前述Al合金膜中更包含 从Si、Cu、Y及Nd中选择之至少1种以上的不纯物。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项所述的有机电 场发光型显示装置,其中,前述Al合金膜的厚度为10 nm以上、200nm以下。 7.如申请专利范围第5项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述Al合金膜的厚度为10nm以上、200nm 以下。 8.如申请专利范围第1至4项中任一项所述的有机电 场发光型显示装置,其中,前述透光性导电氧化膜 系由氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、或 是氧化锡、氧化锌中的至少一种氧化物与氧化铟 混合的材料之任一种构成。 9.如申请专利范围第5项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜系由氧化铟( In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、或是氧化锡、 氧化锌中的至少一种氧化物与氧化铟混合的材料 之任一种构成。 10.如申请专利范围第6项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜系由氧化铟( In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、或是氧化锡、 氧化锌中的至少一种氧化物与氧化铟混合的材料 之任一种构成。 11.如申请专利范围第7项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜系由氧化铟( In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、或是氧化锡、 氧化锌中的至少一种氧化物与氧化铟混合的材料 之任一种构成。 12.如申请专利范围第1至4项中任一项所述的有机 电场发光型显示装置,其中,前述透光性导电氧化 膜系由氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)与氧化锌(ZnO)混 合的氧化物(ITZO)构成。 13.如申请专利范围第5项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜系由氧化铟( In2O3)、氧化锡(SnO2)与氧化锌(ZnO)混合的氧化物(ITZO )构成。 14.如申请专利范围第6项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜系由氧化铟( In2O3)、氧化锡(SnO2)与氧化锌(ZnO)混合的氧化物(ITZO )构成。 15.如申请专利范围第7项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜系由氧化铟( In2O3)、氧化锡(SnO2)与氧化锌(ZnO)混合的氧化物(ITZO )构成。 16.如申请专利范围第8项所述的有机电场发光型显 示装置,其中,前述透光性导电氧化膜的膜厚系3.5nm 以上。 17.如申请专利范围第12项所述的有机电场发光型 显示装置,其中,前述透光性导电氧化膜的膜厚系3. 5nm以上。 18.如申请专利范围第1至4项中任一项所述的有机 电场发光型显示装置,其中,至少由前述Al合金膜与 前述透光性导电氧化膜构成的前述阳极的图案的 边缘部的截面形状大体上是直线形或阶梯形。 图式简单说明: 图1系绘示本发明之电场发光型显示装置的像素部 之剖面图。 图2(A)~(H)系用以说明本发明之电场发光型显示装 置的制造方法之截面步骤图。 图3系绘示本发明与习知比较例的透光性导电氧化 膜与阳极金属膜之接触电阻的値之图式。 图4系绘示Al-Ni膜的反射率对Ni组成之依存性的图 式。 图5系绘示AlN膜的反射率对N组成之依存性的图式 。 图6系绘示Al膜的反射率及透过率与膜厚的关系之 图式。 |
