| 主权项 |
1.一种双极电晶体,包含: 一具有一上表面之基极; 一第一内边衬及一第二内边衬,系位于该基极的该 上表面之上; 一第一外边衬,系位置邻接于该第一内边衬,与一 第二外边衬,系位置邻接于该第二内边衬,又皆位 于该基极的该上表面之上;以及 一射极,系位于该第一内边衬与第二内边衬之间; 其中,该第一外边衬与该第二外边衬系位于该基极 之一掺杂剂植入区之上,该第一内边衬与该第二内 边衬并不位于该基极之该掺杂剂植入区之上。 2.如申请专利范围第1项所述之双极电晶体,其中, 该植入的掺杂剂系硼。 3.如申请专利范围第1项所述之双极电晶体,其中, 该第一内边衬与该第二内边衬包含氧化矽。 4.如申请专利范围第1项所述之双极电晶体,其中, 该第一外边衬与该第二外边衬包含氧化矽。 5.如申请专利范围第1项所述之双极电晶体,更包含 一中介氧化层,系位于该第一外边衬与该第二外边 衬之上。 6.如申请专利范围第5项所述之双极电晶体,其中, 该中介氧化层包含氧化矽。 7.如申请专利范围第5项所述之双极电晶体,更包含 一非晶层,系位于该中介氧化层之上。 8.如申请专利范围第7项所述之双极电晶体,其中, 该非晶层包含非晶矽。 9.如申请专利范围第7项所述之双极电晶体,更包含 一抗反射涂层,系位于该非晶层之上。 10.如申请专利范围第9项所述之双极电晶体,其中, 该抗反射涂层包含氮氧化矽。 11.如申请专利范围第1项所述之双极电晶体,其中, 该射极包含多晶矽。 12.如申请专利范围第1项所述之双极电晶体,其中, 该双极电晶体系一NPN矽锗异质接面双极电晶体。 13.一种制作双极电晶体的方法,包含以下步骤: A)在一基极的一上表面之上制作一第一内边衬与 一第二内边衬; B)形成一相邻于该第一内边衬之第一外边衬,以及 一相邻于该第二内边衬之第二外边衬;及 C)于该基极之该上表面上,在该第一内边衬与该第 二内边衬之间,沉积出一射极。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含一步 骤,系于该步骤A之后与该步骤B之前,植入一掺杂剂 于该基极中。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该掺杂 剂系硼。 16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该第一 内边衬及该第二内边衬包含氧化矽。 17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该第一 外边衬及该第二外边衬包含氧化矽。 18.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含一步 骤,系于该B步骤之后,沉积一中介氧化层在该第一 外边衬与第二外边衬之上。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,该中介 氧化层包含氧化矽。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,更包含一步 骤,系沉积一非晶层于该中介氧化层之上。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中,该非晶 层包含非晶矽。 22.如申请专利范围第20项所述之方法,更包含一步 骤,系沉积一抗反射涂层于该非晶层之上。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中,该抗反 射涂层包含氮氧化矽。 24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该射极 包含多晶矽。 25.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该双极 电晶体系一NPN矽锗异质接面双极电晶体。 图式简单说明: 第1图显示在应用本发明一实施例实现所需步骤之 前,一范例NPNHBT之某些特征的断面图。 第2图本发明一实施例实现所需采取步骤的流程图 。 第3A图根据本发明一实施例,一矽晶圆经过相当于 第2图中某些步骤处理,显示包括该矽晶圆之部分 在内的断面图。 第3B图根据本发明一实施例,一矽晶圆经过相当于 第2图中某些步骤处理,显示包括该矽晶圆之部分 在内的断面图。 第3C图根据本发明一实施例,一矽晶圆经过相当于 第2图中某些步骤处理,显示包括该矽晶圆之部分 在内的断面图。 |
