| 主权项 |
1.一种于一半导体基材形成一金属氧化物半导体 场效电晶体装置之方法,该方法包含有步骤: 于该半导体基材上提供一闸极绝缘层; 形成一导电闸极结构以及一上方坚硬遮罩形状; 于该导电闸极结构之复数个侧边与该坚硬遮罩形 状之复数个侧边,形成复数个第一绝缘间隔; 于该半导体基材之复数个第一区域形成复数个掺 杂矽形状,其中该导电闸极结构或该些第一绝缘形 状未覆盖该半导体基材之该些第一区域; 移除该些第一绝缘间隔,使得该半导体基材之复数 个第二区域露出; 实施一离子植入制程,以将离子植入位于该导电闸 极结构下之该半导体基材之一第三区域之一部份; 回火该基材,该回火使得下方之该半导体基材形成 复数个重度掺杂源极/汲极区域; 于该半导体基材之一第二区域之复数个顶端部分 形成一轻微掺杂源极/汲极区域,其中该半导体基 材之该第二区域位于该重度掺杂源极/汲极区域与 该导电闸极结构间;及 于该导电闸极结构之复数个侧边形成复数个第二 绝缘间隔,系位于该半导体基材之该第二区域上。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属氧 化物半导体场效电晶体装置包含一N通道金属氧化 物半导体场效电晶体装置。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属氧 化物半导体场效电晶体装置包含一P通道金属氧化 物半导体场效电晶体装置。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属氧 化物半导体场效电晶体装置包含由复数个N通道金 属氧化物半导体场效电晶体装置与复数个P通道金 属氧化物半导体场效电晶体装置所构成之一互补 式金属氧化物半导体装置。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电闸 极结构包含厚度约介于800至2000埃之一掺杂多晶矽 闸极结构。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该坚硬遮 罩形状包含厚度约介于100至500埃之氧化矽或氮氧 化矽。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些第一 绝缘间隔由厚度约介于300至1000埃之氮化矽所形成 。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些掺杂 矽形状系藉由一磊晶生长制程形成,且厚度约介于 200至800埃间,该些掺杂矽形状藉由植入能量约介于 5至40仟电子伏特,剂量约介于5E14至5E15原子/公分2 之砷或磷离子掺杂。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些掺杂 矽形状藉由一磊晶生长制程形成,且厚度约介于200 至800埃间,该些掺杂矽形状藉由植入能量约介于3 至20仟电子伏特,剂量约介于5E14至5E15原子/公分2之 硼掺杂。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中移除该 些第一绝缘间隔之该步骤,系包含使用热磷酸作为 一蚀刻剂实施一湿式蚀刻制程。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中实施该 离子植入制程,系使用能量约介于50至150仟电子伏 特,剂量约介于5E14至1E16原子/公分2之锗离子,且植 入角度约介于15度至30度。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该回火 步骤包含实施温度约介于摄氏800度至1050度之一快 速热回火制程。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该 轻微掺杂源极/汲极区域之该步骤,系藉由植入能 量约介于1至5仟电子伏特,剂量约介于5E14至5E15原 子/公分2之砷或磷离子,且植入角度约介于0度至7 度。 14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该 轻微掺杂源极/汲极区域之该步骤,系藉由植入能 量约介于1至5仟电子伏特,剂量约介于5E14至5E15原 子/公分2之硼或二氟化硼离子,且植入角度约介于0 度至7度。 15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些第 二绝缘间隔包含厚度约介于300至1000埃之氮化矽或 氧化矽。 16.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含于该 回火该基材步骤之后,将该绝缘坚硬遮罩形状移除 。 图式简单说明: 第1-9图乃以截面方式,描述制造具有应变通道区域 之金属氧化物半导体场效电晶体装置之各种制程 步骤,乃藉由袋状植入方式,将锗离子植入金属氧 化物半导体场效电晶体导电闸极结构下之半导体 基材部分。 |
