| 主权项 |
1.一种在基板上形成多孔钻石膜之方法,其包括: 在一基板上形成一层钻石层,其中该钻石层包括瑕 疵;以及 藉由去除该钻石层中大量的瑕疵,以在该钻石层中 形成孔。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中在该钻石层中 形成孔系包括藉由在该钻石层中形成孔,降低该钻 石层的介电常数。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中在一基板上形 成钻石层系包括使用化学气相沉积法在一基板上 形成钻石层。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中在一基板上形 成钻石层系包括使该基板曝于包括烃与氢之气体 中,其中该烃浓度比氢浓度高约10%。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中使该基板曝于 包括烃之气体系包括使该基板曝于一种包括甲烷 的气体。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中在一基板上形 成钻石层系包括在一基板上一层钻石层,其中该钻 石层包括双键、空穴或空隙中至少一者。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中自该钻石层去 除瑕疵系包括自该钻石层蚀刻该等瑕疵。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中蚀刻该等瑕疵 系包括在低于约摄氏450度之温度下使该等瑕疵曝 于氧气中。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中蚀刻该等瑕疵 系包括使该等瑕疵曝于氧气下,并使用快速热退火 处理。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中蚀刻该等瑕 疵系包括使该等瑕疵曝于氢电浆或氧电浆中至少 一者。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中使该等瑕疵 曝于氢电浆系包括藉由使用氢加以钝化该钻石层 的上表面,降低该钻石层上表面的摩擦系数。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该钻石 层系包括于一集结式机台(cluster tool)之沉积室中 形成该钻石层。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中在该钻石层 中形成孔系包括于一集结式机台(cluster tool)之氧 化室中在该钻石层中形成孔。 14.如申请专利范围第1项之方法,其另外包括: 在一集结式机台(cluster tool)之沉积室中于该钻石 层上形成第二钻石层;以及 在一集结式机台(cluster tool)之氧化室中于该第二 钻石层上形成孔。 15.一种在基板上形成多孔钻石膜之方法,其包括: 在一基板上形成第一钻石层,其中该第一钻石层包 括sp2键结与sp3键结之混合物;以及 使该第一钻石层曝于氢电浆,其中会大致去除第一 钻石层表面部分的sp2键结。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中形成第一钻 石层系包括使用所包含之甲烷浓度比氢浓度高出 约10%的电浆形成第一钻石层。 17.如申请专利范围第15项之方法,其中使该第一钻 石层曝于氢电浆系包括使第一钻石层曝于氢电浆 下,使第一钻石层表面部分转变成形成实质上无sp2 钻石层。 18.如申请专利范围第15项之方法,另外包括藉由使 用所包含之甲烷浓度比氢浓度高出约10%的电浆,形 成配置在该实质上无sp2之钻石层上的第二钻石层, 其中该第二钻石层包括sp2与sp3键结之混合物。 19.一种多孔钻石膜,其包括: 一层包含大量孔的钻石层。 20.如申请专利范围第19项之钻石膜,其中该钻石层 之介电常数低于约1.95。 21.如申请专利范围第19项之钻石膜,其中该钻石层 的强度高于约6 GPa。 22.如申请专利范围第19项之钻石膜,其中该钻石层 包括一层ILD层。 23.一种多孔钻石膜,其包括: 一层钻石层,其包括sp2键结与sp3键结之混合物;以 及 在该钻石层上配置实质上无sp2之钻石层,其中该实 质上无sp2钻石层包括sp3键结。 24.如申请专利范围第23项之钻石膜,其中该实质上 无sp2之钻石层不包括可察觉量之sp2键结。 25.如申请专利范围第23项之钻石膜,其中该钻石膜 的介电常数低于约1.95,且强度大于约6 GPa。 26.如申请专利范围第23项之钻石膜,其中该钻石膜 包括一层ILD层。 27.一种在基板上具有多孔钻石膜的结构,其包括: 一层配置在一基板上之导电层;以及 一层配置在该导电层上之钻石层,其中该钻石层包 括孔。 28.如申请专利范围第27项之结构,其中该钻石层包 括一ILD。 29.如申请专利范围第27项之结构,其中该钻石层的 介电常数低于约1.95。 30.如申请专利范围第27项之结构,其中该钻石层的 强度高于约6 GPa。 31.如申请专利范围第27项之结构,其中该钻石层的 抛光率系导电层的抛光率约100倍。 图式简单说明: 图1a-1c表示本发明一实施例之结构。 图2表示本发明一实施例之流程图。 图3显示本发明另一实施例之集结式机台(cluster tool)。 图4a-4e表示本发明另一实施例。 图5表示本发明另一实施例之流程图。 图6a-6e表示本发明另一实施例。 图7表示先前技术之结构。 |
