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Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung beschrieben, mit der die Depolarisation von linear polarisiertem Licht beim Durchstrahlen von Kristallen, die eine {111}- bzw. {100}-Kristallebene und eine <100>- bzw. <111>-Kristallachse ausweisen, vermieden werden kann. Die Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass das linear-polarisierte Licht in einem Winkel von 45-75° auf die Oberfläche der Kristalle auftrifft, wobei die Oberfläche von der {111}- oder {100}-Ebene gebildet wird. Dabei wird der Kristall derart angeordnet, dass das Licht nach seinem Eintritt im Kristall sich so parallel wie möglich entlang der <100>- bzw. <111>-Kristallachse ausbreitet und/oder dass die Vorrichtung zur Verhinderung eines Temperaturgradienten im Kristall eine Temperiereinheit umfasst. Die Vorrichtung wird vorzugsweise in der DUV-Lithographie, insbesondere in Steppern und Excimer-Lasern sowie zur Herstellung von integrierten Schaltungen, Computerchips sowie elektronischer Geräte wie Computern sowie anderer Geräte, welche chipartige integrierte Schaltungen enthalten, sowie von Flachbildschirmen verwendet.
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