Kohlenstoff-Filament-Speicher und Verfahren zum He

摘要

Ein integrierter Schaltkreis wird beschrieben mit einem Speicherelement, welches eine erste Kohlenstoffschicht aufweist, welche reich ist an einem ersten Kohlenstoffmaterial, und eine zweite Kohlenstoffschicht, welche reich ist an einem zweiten Kohlenstoffmaterial. Das Speicherelement speichert Information mittels reversiblen Ausbildens eines leitfähigen Kanals in der zweiten Kohlenstoffschicht, wobei der leitfähige Kanal das erste Kohlenstoffmaterial enthält.