发明名称 |
Verfahren zum Korrigieren eines Defektes einer Fotomaske |
摘要 |
Nach einem Herstellen einer elektrischen Verbindung in dem isolierten Muster durch eine abgeschiedene Metallschicht mittels einer CVD des Elektronenstrahls oder des Heliumionenstrahls, der von einer Gasfeldionenquelle erzeugt wird, wird der undurchlässige oder durchlässige Defekt korrigiert und nach der Korrektur wird die abgeschiedene Metallschicht durch eine AFM-Kratzarbeitssonde entfernt. Ein durch den AFM-Kratzvorgang erzeugter Arbeitsabraum wird durch Waschen entfernt.
|
申请公布号 |
DE102007049556(A1) |
申请公布日期 |
2008.05.08 |
申请号 |
DE20071049556 |
申请日期 |
2007.10.16 |
申请人 |
SII NANO TECHNOLOGY INC. |
发明人 |
TAKAOKA, OSAMU;TASHIRO, JUNICHI |
分类号 |
G03F1/08;G01N13/16;G03F1/72;G03F1/74 |
主分类号 |
G03F1/08 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|