发明名称 上行导频发射装置
摘要 本发明公开了一种上行导频发射装置,该装置包括指示模块,位于基站侧,用于通过广播消息中的接入服务类指示移动终端能发射上行导频的上行导频信道,其中,接入服务类指示移动终端只在虚子帧的上行导频时隙发射上行导频;传播延迟计算模块,位于移动终端侧,用于根据基本公共控制信道和下行导频信道的功率计算传播延迟;发射时间确定模块,位于移动终端侧,用于根据传播延迟计算模块计算的传播延迟确定在虚子帧里发射上行导频的时间;以及上行导频发射模块,位于移动终端侧,在由发射时间确定模块确定的发射时间发射上行导频。通过本发明可以使支持下行导频Blanking的TD-SCDMA系统中小区覆盖半径最大化,并且优化了智能天线校正。
申请公布号 CN101174880A 申请公布日期 2008.05.07
申请号 CN200610137802.2 申请日期 2006.11.01
申请人 中兴通讯股份有限公司 发明人 萧少宁
分类号 H04B7/26(2006.01);H04B7/02(2006.01) 主分类号 H04B7/26(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 李伟;吴孟秋
主权项 1.一种上行导频发射装置,其特征在于,包括:指示模块,位于基站侧,用于通过广播消息中的接入服务类指示移动终端能发射上行导频的上行导频信道,其中,所述接入服务类指示所述移动终端只在虚子帧的上行导频时隙发射上行导频;传播延迟计算模块,位于移动终端侧,用于根据基本公共控制信道和下行导频信道的功率计算传播延迟;发射时间确定模块,位于移动终端侧,用于根据所述传播延迟计算模块计算的传播延迟确定在虚子帧里发射上行导频的时间;以及上行导频发射模块,位于移动终端侧,在由所述发射时间确定模块确定的发射时间发射上行导频。
地址 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦