| 发明名称 | 硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶 | ||
| 摘要 | 该硅单晶的培育方法是一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内侧圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101175872A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200580049778.0 | 申请日期 | 2005.09.12 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 稻见修一;村上浩纪;高濑伸光;滨田建;中村刚 |
| 分类号 | C30B15/20(2006.01);C30B29/06(2006.01) | 主分类号 | C30B15/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.硅单晶的培育方法，其特征在于，一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||