半导体器件与CMOS集成电路器件

摘要

一种半导体器件包括在半导体衬底上形成的应力积聚绝缘膜，以覆盖栅电极和侧壁绝缘膜，该应力积聚绝缘膜在其中积聚应力，其中该应力积聚绝缘膜包括：覆盖栅电极和侧壁绝缘膜的沟道部分；以及在沟道部分之外延伸的外部分，该应力积聚绝缘膜在沟道部分中与在外部分中相比具有增大的厚度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅电极，经由栅极绝缘膜，形成于所述半导体衬底内的沟道区域上；以及一对扩散区域，在所述栅电极的两个横侧处，形成于所述半导体衬底中，一对侧壁绝缘膜，形成于所述栅电极的两个侧壁表面上，应力积聚绝缘膜，形成于所述半导体衬底上，以覆盖所述栅电极和所述侧壁绝缘膜，所述应力积聚绝缘膜在其中积聚应力，所述应力积聚绝缘膜包括：覆盖所述栅电极和所述侧壁绝缘膜的沟道部分；以及在所述沟道部分之外延伸的外部分，与在所述外部分中相比，所述应力积聚绝缘膜在所述沟道部分中具有增大的厚度。