| 发明名称 | 半导体激光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适于大规模生产的半导体激光器件。其可以改善导线布置，并使器件小型化。该半导体激光器件包括：多根引线，其穿过一绝缘框架构件的两侧面的每一侧面设置，使其从外部进入该绝缘框架构件的内部；至少一半导体激光元件和一光接收元件安装在该绝缘框架构件的内部；以及多根导线，其布置在该绝缘框架构件的内部，以将该引线分别连接到该半导体激光元件的电极和该光接收元件的电极，其特征在于，在该绝缘框架构件内部，该引线中的至少一根引线向该绝缘框架构件上的该引线中的所述至少一根引线穿过其而设置的侧面的边缘弯曲。 | ||
| 申请公布号 | CN100386931C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200510082068.X | 申请日期 | 2003.01.30 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 八木有百实;松原和德 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01);H01S5/026(2006.01);H01L23/495(2006.01);G11B7/125(2006.01) | 主分类号 | H01S5/022(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器件，包括：多根引线，其穿过一绝缘框架构件的两侧面的每一侧面设置，使其从外部进入该绝缘框架构件的内部；至少一半导体激光元件和一光接收元件安装在该绝缘框架构件的内部；以及多根导线，其布置在该绝缘框架构件的内部，以将该引线分别连接到该半导体激光元件的电极和该光接收元件的电极，其特征在于，在该绝缘框架构件内部，该引线中的至少一根引线向相邻引线弯曲。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||