制造快闪存储器的方法

摘要

本发明公开一种用以制造快闪存储器的方法，其中在具有阴斜面的自对准浮置栅极的侧上形成电极间隔物。因此，在形成层间介电膜及控制栅极之后蚀刻堆迭栅极时，可防止通过该自对准浮置栅极的阴斜面而形成的控制栅极的纵梁(stringer)。此外，由于使用各向同性蚀刻工艺来去除浮置栅极之间的元件隔离膜，故该元件隔离膜不余留于该浮置栅极的侧上。因此可防止耦合比的降低。因此，可减少器件的故障且可防止编程速度的降低。

主权项

1.一种制造快闪存储器的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底上形成衬垫绝缘膜及硬掩膜；(b)选择性地去除该硬掩膜、该衬垫绝缘膜及该半导体衬底从而形成沟槽；(c)在该沟槽内形成元件隔离膜；(d)通过各向同性蚀刻工艺去除该硬掩膜及该衬垫绝缘膜；(e)在该元件隔离膜之间形成浮置栅极，其中在该元件隔离膜之间具有隧道绝缘膜；(f)通过各向同性蚀刻工艺将该元件隔离膜去除至一预定厚度；(g)在该浮置栅极的经由该元件隔离膜的该去除而得以暴露的侧上形成电极间隔物，其中该电极间隔物利用与该浮置栅极相同的材料形成；及(h)在所得的整个表面上形成控制栅极，其中在该控制栅极与该整个表面之间具有层间介电膜。