碳化硅半导体器件的制造方法

摘要

一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件的制造方法，包括制备由碳化硅制成衬底(1)，以及形成沟道区域(4)、第一杂质区域(6，7)、第二杂质区域(1，13)、栅极绝缘层(8)和栅电极(9)，以在衬底(1)上形成半导体元件。另外，在半导体元件上形成膜，以以便提供层间绝缘层(10)的材料，并且在潮湿气氛中、大约700℃或更高的温度下执行了回流工艺，使得该膜形成层间绝缘层(10)并且将栅电极(9)的边缘部分圆角化和氧化。

主权项

1.一种具有金属氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的制造方法，该方法包括：制备由碳化硅制成的衬底(1)；在所述衬底(1)上形成由碳化硅制成的沟道区域(4)，其中所述沟道区域(4)提供了电流通道；在所述衬底上的所述电流通道的上行侧上形成第一杂质区域(6，7)；在所述衬底上的所述电流通道的下行侧上形成第二杂质区域(1，13)；在所述沟道区域(4)的表面上形成栅极绝缘层(8)；在所述栅极绝缘层(8)上形成栅电极(9)，以形成半导体元件；在所述半导体元件上形成膜，以便提供层间绝缘层(10)的材料；以及在潮湿气氛中、大约700℃或更高的温度下实施回流工艺，使得所述膜形成所述层间绝缘层(10)并且将所述栅电极(9)的边缘部分圆角化和氧化，其中：所述沟道区域(4)提供了所述半导体元件的沟道；并且通过控制施加到所述栅电极(9)上的电压来控制所述沟道，从而控制在所述第一杂质区域(6，7)和所述第二杂质区域(1，13)之间流动的电流。