发明名称 供高功率应用的光纤
摘要 本发明描述了光纤设计,它可以克服因过度自聚焦而产生自聚焦对光纤的毁坏问题。这些光纤设计的折射率,在光纤的纤芯中是极端不均匀的。在一个实施例中,光纤是用精心考虑并陡峭的纤芯沟设计的。此外,这些光纤的标称纤芯区有非常大的面积。该两种性质的组合,使光功率包络的大部分,限制于纤芯环,在该纤芯环内有降低光功率。这些设计基本上降低光纤中的自聚焦。可以预期,采用具有这些修改纤芯设计的光纤的光子系统,对以短的脉冲持续时间传输的高功率,例如大于1MW的高功率,是特别有效的。
申请公布号 CN101173997A 申请公布日期 2008.05.07
申请号 CN200710128641.5 申请日期 2007.07.09
申请人 古河电子北美公司 发明人 戴维·J·迪乔瓦尼;贾耶什·贾撒帕拉;安德鲁·D·亚布隆
分类号 G02B6/02(2006.01);H04B10/12(2006.01) 主分类号 G02B6/02(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 蒋世迅
主权项 1.一种包括纤芯和包层的光纤,其中,在光功率低于整块材料自聚焦阈值和在纤芯中央的电场振幅由下式给出的情形下,测量的信号模的有效面积大于150μm2:<math><mrow><mfrac><mrow><msup><mi>d</mi><mn>2</mn></msup><mo>|</mo><mi>E</mi><mo>|</mo></mrow><msup><mi>dr</mi><mn>2</mn></msup></mfrac><msub><mo>|</mo><mrow><mi>r</mi><mo>=</mo><mn>0</mn></mrow></msub><mo>></mo><mn>0</mn></mrow></math> 这里|E|是电场振幅,而r是纤芯半径。
地址 美国佐治亚