| 发明名称 | 有氮化物半导体薄膜的基底及该薄膜的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种生长有氮化物半导体薄膜的基底及该氮化物半导体薄膜的生长方法。本发明的优点在于，通过部分蚀刻基底而在基底上形成多个凹槽，在该凹槽内形成防止氮化物半导体纵向生长的脚部，从而氮化物半导体薄膜侧向生长以覆盖脚部的顶部，因此确保了生长高质量的氮化物半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100386845C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200510005040.6 | 申请日期 | 2005.01.31 |
| 申请人 | LG电子有限公司 | 发明人 | 徐廷勋 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南霆 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体薄膜的生长方法，包括以下步骤：通过部分蚀刻基底而在基底的上表面上形成多个凹槽；在形成在基底中的各凹槽内形成用于防止氮化物半导体纵向生长的脚部，其中，存在于在基底的上表面形成的各凹槽内的脚部的宽度为各凹槽的宽度的1～100％，从各凹槽的内底面至脚部的顶部的高度为从各凹槽的内底面至基底的顶面的高度的1～100％；在没有形成凹槽的基底的上表面区域形成缓冲层；在缓冲层上侧向生长氮化物半导体薄膜，以覆盖脚部的顶部。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||