立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法

摘要

立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料c－BN薄膜很难实现p型掺杂的困难，实现c－BN薄膜的有效p型掺杂。本发明步骤：(1)使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征c－BN薄膜，这层本征BN薄膜：薄膜厚度为200～800nm；立方相含量在40～95％；电导率在10^－9～10^－11Ω^－1cm^－1；(2)选用金属铍离子作为p型掺杂剂，离子注入铍的能量范围为80～200千电子伏特；离子注入铍的剂量范围为5×10¹⁵～1×10¹⁷ion/cm²。(3)慢速退火：慢速退火温度为600～900℃；恒温时间为40～60分钟。(4)将经过步骤(3)退火的薄膜再进行激光辐照二次杂质激活工艺：退火温度为1000～1050℃，退火时间为20～40秒钟。本发明使立方相含量在40％以上的c－BN薄膜的电导率增大近十万倍。

主权项

1.一种立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征c-BN薄膜，这层本征BN薄膜：薄膜厚度为200～800nm；立方相含量在40～95％；电导率在10-9～10-11Ω-1cm-1；(2)选用金属铍离子作为p型掺杂剂，离子注入铍的能量范围为80～200千电子伏特；离子注入铍的剂量范围为5×1015～1×1017ion/cm2；(3慢速退火：慢速退火温度为600～900℃；恒温时间为40～60分钟；(4)将经过步骤(3)退火的薄膜再进行激光辐照二次杂质激活工艺：退火温度为1000～1050℃，退火时间为20～40秒钟。