发明名称 利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的方法
摘要 本发明提供了一种利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的方法。在包括窄和宽构造的衬底上形成平坦化导电材料。导电材料通过一系列沉积过程形成。第一沉积过程形成导电材料的第一层,其填充窄构造并且至少部分填充宽构造。第二沉积过程在第一层的空腔内形成导电材料的第二层。柔性材料可以减少衬底上第一层的厚度,同时将溶液递送到空腔中以在其中形成第二层。柔性材料可以是与充满所述溶液的可加压容器相连的多孔膜。柔性材料也可以是使用所述溶液润湿的多孔性材料。
申请公布号 CN101174578A 申请公布日期 2008.05.07
申请号 CN200710135787.2 申请日期 2004.03.23
申请人 兰姆研究公司 发明人 弗雷德·C·雷德克;约翰·博伊德
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/288(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚;李丙林
主权项 1.一种用于制造平坦化表面的方法,包括:提供包括窄构造和宽构造的衬底;在所述衬底上形成第一层,所述第一层填充所述窄构造,至少部分填充所述宽构造,和包括沿所述宽构造排列的空腔;使柔性材料与所述第一层的至少一部分接触;使用所述柔性材料将无电镀覆溶液递送到所述空腔中;在所述空腔内由所述溶液形成第二层,而在所述柔性材料与所述第一层接触处几乎不形成所述第二层;和平坦化所述第一和第二层。
地址 美国加利福尼亚州
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