发明名称 | CMOS高帧频瞬态图像传感器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种CMOS高帧频瞬态图像传感器。包括CMOS水平移位寄存器、CMOS垂直移位寄存器和探测器单元1-n,在每一个探测器单元的读出管col-i与探测器D的正极之间增加保护电阻R1、释放管Q1、取样电阻R2、选通管Q2、保峰电容C,并对探测器外的所有电路进行光屏蔽。本发明的有益效果是:实现了高帧频瞬态成像,能达到50ns到14us选通成像。 | ||
申请公布号 | CN100387052C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
申请号 | CN200510020166.0 | 申请日期 | 2005.01.10 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 袁昌明;郭立忠 |
分类号 | H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H04N5/335(2006.01) |
代理机构 | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人 | 侯樊琪 |
主权项 | 1.一种CMOS高帧频瞬态图像传感器,包括CMOS水平移位寄存器、CMOS垂直移位寄存器和探测器单元1-n,其特征在于:在每一个探测器单元的读出管col-i与探测器D的正极之间增加保护电阻R1、释放管Q1、取样电阻R2、选通管Q2、保峰电容C,并对探测器外的所有电路进行光屏蔽;所述的保峰电容C的一端与读出管col-i及选通管Q2的漏极连接,取样电阻R2的一端与选通管Q2、释放管Q1的源极以及保护电阻R1连接,保峰电容C、取样电阻R2的另一端及释放管Q1的漏极接地,保护电阻R1的另一端与探测器D的正极连接,选通管Q2的栅极接信号Vg,释放管Q1的栅极接信号Vg-N,读出管col-i、选通管Q2及释放管Q1的源极和漏极可以互换。 | ||
地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号44所 |