发明名称 发光二极管及其制作方法
摘要 一种发光二极管及其制作方法。形成发光二极管多晶结构于基材上,之后蚀刻部分发光二极管多晶结构,以形成孔洞,再将透明介电材料填入孔洞中。之后,依序形成欧姆接触层及反射层,并蚀刻反射层及欧姆接触层,以暴露透明介电材料,最后形成黏着导电复合层,通过黏着导电复合层与透明介电材料黏着,以固定欧姆接触层与反射层于发光二极管多晶结构上。
申请公布号 CN100386896C 申请公布日期 2008.05.07
申请号 CN200510008076.X 申请日期 2005.02.08
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 蔡宗良;温伟值;江昌翰;张智松
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 上海市华诚律师事务所 代理人 徐申民
主权项 1.一种发光二极管的制作方法,其特征在于,包含:提供基材;形成发光二极管外延结构于该基材上;蚀刻该发光二极管外延结构,以形成孔洞;将透明介电材料填入该孔洞中;形成欧姆接触层于该发光二极管外延结构上;形成反射层于该欧姆接触层上;蚀刻该反射层及该欧姆接触层,以暴露该透明介电材料;以及形成黏着导电复合层于该反射层上,该黏着导电复合层穿透该反射层及该欧姆接触层黏着该透明介电材料,通过该黏着导电复合层与该透明介电材料黏着,以固定该欧姆接触层与该反射层于该发光二极管外延结构。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行五路5号