| 发明名称 | 非挥发性存储体的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非挥发性存储体的蚀刻方法，此方法例如是提供衬底，衬底上已形成有存储单元、第一介电层与隔离结构。存储单元上已形成有控制栅极与浮置栅极。存储单元上形成存储单元接触窗，并于存储单元与隔离结构中形成衬底接触窗，再于衬底上形成第二介电层与凹陷。使用化学气体强化第二介电层表面，使存储单元之上的第二介电层表面结构较衬底接触窗之上的第二介电层具有较强的表面结构。利用第二介电层的不同表面结构强度使到达存储单元接触窗导线空间形成速率与衬底接触窗导线空间形成速率相当。 | ||
| 申请公布号 | CN101174589A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610136601.0 | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 叶明鑫;高一辰;黄光正;简宏儒 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储体的蚀刻方法，包括：提供一衬底，该衬底上已形成有一存储单元、一第一介电层与一隔离结构；该存储单元上已形成有一控制栅极与一浮置栅极；该存储单元上形成一存储单元接触窗；该存储单元与该隔离结构中形成一衬底接触窗；于该衬底上形成一第二介电层与一凹陷；使用化学气体强化该第二介电层表面，使该存储单元之上的该第二介电层表面结构较该衬底接触窗之上的该第二介电层具有较强的表面结构；于该衬底上形成一第三介电层，填满该凹陷；同时进行一存储单元接触窗导线空间与一衬底接触窗导线空间形成，该存储单元接触窗导线空间形成步骤包括：移除部分该第三介电层；移除部分该第二介电层；移除部分该第一介电层至该存储单元接触窗；该衬底接触窗导线空间形成步骤包括：移除部分该第三介电层；移除部分该第二介电层；移除部分该第一介电层至该衬底接触窗；以及利用该第二介电层的不同表面结构强度使到达该存储单元接触窗导线空间形成速率与该衬底接触窗导线空间形成速率相当。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||