| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器，具有设置于基底上的存储器单元。基底中具有沟槽。存储器单元具有第一栅极、第二栅极、电荷储存层、第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。第一栅极设置在沟槽中。第二栅极设置于沟槽一侧的基底上。电荷储存层设置于第一栅极与基底之间及第二栅极与基底之间。第一源极/漏极区设置在沟槽底部的基底中。第二源极/漏极区设置于第二栅极一侧的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN101174653A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610143309.1 | 申请日期 | 2006.11.03 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈世宪;郭兆玮;毕嘉慧;刘应励 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器，包括：基底，该基底中具有沟槽；第一存储器单元，设置于该基底上，该第一存储器单元包括：第一栅极，设置于该沟槽中；第二栅极，设置于该沟槽一侧的该基底上；电荷储存层，延伸设置于该第一栅极与该基底之间及该第二栅极与该基底之间；第一源极/漏极区，设置于该沟槽底部的该基底中；以及第二源极/漏极区，设置于该第二栅极一侧的基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||