制造半导体器件的方法

摘要

提供了一种半导体器件制造方法以控制晶片间和晶片内互连电阻、接触电阻的增加等。该半导体器件制造方法包括步骤：将待处理衬底放置在刻蚀设备中，该衬底中包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层膜形成在半导体衬底上或者上方，并且第一绝缘膜和第二绝缘膜在同一刻蚀设备中刻蚀，其中第一绝缘膜由含氮膜组成，第二绝缘膜由从SiOCH膜、SiO₂膜、甲基倍半硅氧烷膜、氢倍半硅氧烷膜和甲基氢倍半硅氧烷膜中选择的一种或多种膜组成，其中采用(a)包括以C_xF_y(x：从1到6的整数，y：从4到12的整数)表示的碳氟化合物的气体，或者(b)该碳氟化合物和从O₂、Ar和CO中选择的一种或者多种气体的混合气体，作为第一绝缘膜的刻蚀气体和第二绝缘膜的刻蚀气体。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：将待处理衬底放置在刻蚀设备中，在该衬底中包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层膜形成在半导体衬底上，并且所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在同一刻蚀设备中刻蚀，其中所述第一绝缘膜由含氮膜组成，所述第二绝缘膜由从SiOCH膜、SiO2膜、甲基倍半硅氧烷膜、氢倍半硅氧烷膜和甲基氢倍半硅氧烷膜中选择的一种或多种膜组成，以及在所述步骤中，采用(a)包括以CxFy(x：从1到6的整数，y：从4到12的整数)表示的碳氟化合物的气体，或者(b)由所述碳氟化合物和从O2、Ar和CO中选择的一种或者多种气体组成的混合气体，来作为用于所述第一绝缘膜的刻蚀气体和用于所述第二绝缘膜的刻蚀气体。