发明名称 |
单片集成的硅胎压温度传感器 |
摘要 |
单片集成的硅胎压温度传感器属于压力、温度传感技术领域,其特征在于,含有:结构芯片,中间有一个硅杯,该硅杯有一个硅膜,其周围支撑的是厚体硅;四个压力敏感电阻,分别位于硅膜边界内的应力敏感区,形成一个压力传感器;一个温度敏感电阻,位于厚体硅的非应力敏感区,形成一个温度传感器;密封盖板,连接在所述结构芯片的下表面。该集成传感器的压力敏感元件的输出和压力值直接相关,而该集成传感器的温度敏感元件的输出和温度值密切相关。该集成传感器具有单片集成、制作简单、运行可靠的优点。 |
申请公布号 |
CN201057517Y |
申请公布日期 |
2008.05.07 |
申请号 |
CN200720103715.5 |
申请日期 |
2007.03.02 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
张兆华;林惠旺;刘理天;任天令 |
分类号 |
G01D21/02(2006.01);B60C23/00(2006.01) |
主分类号 |
G01D21/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.单片集成的硅胎压温度传感器,其特征在于:该传感器含有结构芯片、封装盖板、压力敏感电阻以及温度敏感电阻,其中:结构芯片,中间有一个硅杯,该硅杯的中央有一片硅膜,硅膜的周围支撑的是厚体硅;压力敏感电阻,共四个,分别位于硅膜边界内应力敏感集中区,构成一个惠斯通电桥,形成一个压力传感器;温度敏感电阻,位于周围厚体硅非应力敏感区,形成一个温度传感器;密封盖板,连接在结构芯片的下端面。 |
地址 |
100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |