存储单元及其制程

摘要

本发明涉及一种存储单元及其制程。此制程是先于位于基底上方的导体层上形成第一电极层。然后，于第一电极层上形成过渡金属层。接着，对过渡金属层进行等离子体氧化步骤，以形成作为数据储存层的前驱物的过渡金属氧化物层。之后，于过渡金属氧化物层上形成第二电极层。在分别将第二电极层、过渡金属氧化物层与第一电极层图案化成第二电极、数据储存层与第一电极之后，形成了存储单元。此存储单元具有长的数据保持时间、低转换电压、高产品品质与节省制程开发成本的优点。

主权项

1.一种存储单元的制程，其特征在于包括：于位于一基底上方的一导体层上形成一第一电极层；于该第一电极层上形成一过渡金属层；对该过渡金属层进行一等离子体氧化步骤，以形成作为一数据储存层的前驱物的一过渡金属氧化物层；以及于该过渡金属氧化物层上形成一第二电极层。