发明名称 用于抗蚀剂去除和下层部件刻面控制的等离子体
摘要 在含有天线、第一和第二电极的衬底处理腔中处理含有覆在电介质部件上的抗蚀剂层的衬底。将含有CO<SUB>2</SUB>的工艺气体引入到腔中。通过将源电压施于天线并施加电极而激发工艺气体以形成等离子体,第一偏压具有至少10MHz的第一频率和第二偏压具有小于约4MHz的第二频率。设置第一偏压和所述第二偏压的功率级别的比率以获得下层电介质部件的边缘削面高度,其至少为电介质部件高度的约10%。
申请公布号 CN101174108A 申请公布日期 2008.05.07
申请号 CN200710161548.4 申请日期 2007.09.29
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 易锋·周;李思义;特里·梁;迈克尔·D·阿马科斯特
分类号 G03F7/42(2006.01);G03F7/36(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/42(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;梁挥
主权项 1.一种衬底处理方法,其用于移除覆在衬底上的电介质部件上的抗蚀剂层同时控制所述电介质部件的边缘削面高度,在含有天线和第一与第二工艺电极的衬底处理腔中执行该方法,该方法包括:(a)将具有覆在电介质部件上的抗蚀剂层的衬底放置到所述腔中;(b)通过以下步骤移除所述抗蚀剂层同时控制下层电介质部件的边缘刻面高度:(i)将含有CO2的工艺气体引入所述腔中;(ii)通过以下步骤激发处理气体:(1)施加源电压到所述天线;以及(2)施加到所述第一和第二工艺电极,第一偏压具有至少10MHz的第一频率和第二偏压具有小于4MHz的第二频率,所述第一偏压与所述第二偏压的功率级别的比率为至少1∶9,其中,所述被激发气体提供至少为所述电介质部件高度的10%的所述电介质部件边缘刻面高度;以及(c)从所述腔中排出工艺气体。
地址 美国加利福尼亚州