制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件

摘要

本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体更均匀地混合。

主权项

1.一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过扩散包含III族元素的源气体和包含V族元素的源气体在衬底上结晶生长所述氮化物半导体，所述气体的扩散与所述衬底平行并且从上游到下游，所述装置包括：容纳所述衬底并用于使所述气体流到流动通道中的流动通道；以及形成在所述流动通道内壁上的多个突起。