| 发明名称 | 利用金属闪光层控制电容器界面特性的方法 | ||
| 摘要 | 可以通过在衬底(例如硅)之上沉积金属闪光层(例如Ti)形成电容器。在金属闪光层之上形成电介质层(例如高K电介质)。在电介质层之上形成导电层，使得导电层容性耦接到衬底和/或金属闪光层。可以对该器件退火，使得金属闪光层改变状态，以及使得导电层和衬底和/或金属闪光层之间的电容增加。 | ||
| 申请公布号 | CN100386842C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610004004.2 | 申请日期 | 2006.01.06 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | S·戈文达拉詹 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底；在该衬底之上形成金属闪光层；在该金属闪光层之上形成电介质层，该电介质层具有1nm至40nm的厚度；在该电介质层之上形成导电层，从而将导电层电容耦合到该衬底和/或该金属闪光层；以及对该器件退火，以使该金属闪光层改变状态从而增加该导电层和该衬底和/或该金属闪光层之间的电容量。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||