| 发明名称 | 非易失性存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储单元，其由一临界交换薄膜与一存储交换薄膜所构成。其中，存储交换薄膜为一存储单元，而临界交换薄膜为一导向单元。 | ||
| 申请公布号 | CN100386882C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200410101680.2 | 申请日期 | 2004.12.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘;陈逸舟 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储单元，包括：一第一相变化材料薄膜；一第二相变化材料薄膜，其中，该第一相变化材料薄膜与该第二相变化材料薄膜的相变化特性不同，通过所施加电压大小的控制，以使该第一相变化材料薄膜为一存储单元，而使该第二相变化材料薄膜为一导向单元，且作为该导向单元的薄膜，当施加大于其启始电压的一电压时，会发生电压击穿，而当关闭该电压时，则会回复的原本的状态；以及一第一电极层与一第二电极层，且该第一相变化材料薄膜及该第二相变化材料薄膜配置在该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第一电极层与该第二电极层作用偏压至一对的该第一相变化材料薄膜与该第二相变化材料薄膜，以使该第一相变化材料薄膜能被所提供的偏压程序化。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||