静态随机存取存储单元

摘要

本发明提供一种静态随机存取存储单元，其包括：第一PMOS晶体管，其源极耦接至电压源；第二PMOS晶体管，其源极耦接至电压源、漏极耦接至第一PMOS晶体管的栅极，以及栅极耦接至第一PMOS晶体管的漏极；第一写入切换模块，耦接于第一PMOS晶体管与互补电压源之间；第二写入切换模块，耦接于第二PMOS晶体管与互补电压源之间；以及读取切换模块，耦接于第一PMOS晶体管的栅极与读取位线之间，其中第一写入切换模块、第二写入切换模块以及读取切换模块分别受控以读取或写入一逻辑值自或至位于第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管的漏极的多个储存节点。

主权项

1.一种静态随机存取存储单元，包括：一第一PMOS晶体管，具有耦接至一电压源的一源极；一第二PMOS晶体管，具有耦接至上述电压源的一源极、耦接至上述第一PMOS晶体管的一栅极的一漏极，以及耦接至上述第一PMOS晶体管的一漏极的一栅极；一第一写入切换模块，耦接于上述第一PMOS晶体管与一互补电压源之间；一第二写入切换模块，耦接于上述第二PMOS晶体管与上述互补电压源之间；以及一读取切换模块，耦接于上述第一PMOS晶体管的上述栅极与一读取位线之间，其中上述第一写入切换模块、上述第二写入切换模块以及上述读取切换模块分别受控以读取或写入一逻辑值自或至位于上述第一PMOS晶体管的上述漏极与上述第二PMOS晶体管的上述漏极的多个储存节点。