发明名称 |
半导体元件及其操作方法 |
摘要 |
一种半导体元件的操作方法,适用于操作单一芯片上耦接的高压元件与控制电路。高压元件包括了源极、漏极与栅极。此操作方法是先于栅极与源极为浮置的状态下,施加漏极电压于漏极,使高压元件自行开启,其中漏极电压约大于20伏特,且漏极至源极的电流充电源极。此源极的电压是作为控制电路的电源,当源极电压大于控制电路的启始电压,即驱动控制电路。 |
申请公布号 |
CN101174627A |
申请公布日期 |
2008.05.07 |
申请号 |
CN200610136599.7 |
申请日期 |
2006.10.31 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
黄志仁 |
分类号 |
H01L27/088(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/088(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种半导体元件,设置于单一芯片上,包括:第一型基底;以及高压元件,设置于该第一型基底上,包括:第二型阱,设置于该第一型基底中,且该第二型阱的掺杂物浓度约大于1015/立方厘米;第一型主体区,设置于该第二型阱一侧的该第一型基底中,与该第二型阱分离;第二型源极,设置于该第一型主体区内;第二型漏极,设置于该第二型阱内;隔离结构,设置于该第二型源极与该第二型漏极之间的该第一型基底中,且位于该第二型阱上;第一型顶层,设置于该第二型阱顶部、较靠近该第一型主体区一侧的该第一型基底中,且该第一型顶层位于该隔离结构下方;以及第一栅极,设置于该第二型源极与该第一型顶层之间的该第一型基底上。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |