快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器及其制造方法。该方法包括提供半导体基板，其包括彼此平行地交替布置的第一有源区域和隔离区域、及使第一有源区域彼此连接的第二有源区域。在半导体基板上形成穿隧绝缘层、电荷储存层及隔离掩模。蚀刻隔离掩模、电荷储存层、穿隧绝缘层及半导体基板以在隔离区域上形成沟槽。在沟槽上形成隔离结构。在包括隔离结构的结构上依序形成介电层、导电层及硬掩模。图案化硬掩模、导电层、介电层及电荷储存层以形成交叉第一有源区域的漏极选择线、字元线及源极选择线。由离子注入工艺在第一有源区域上形成结区域。在相邻源极选择线间的第一及第二有源区域上形成公共源极。

主权项

1.一种快闪存储器，包括：半导体基板，包括以彼此平行方式交替布置的第一有源区域和隔离区域、以及将该第一有源区域彼此连接的第二有源区域；隔离结构，形成于该隔离区域上；漏极选择线、字元线，及源极选择线，形成得使该漏极选择线、该字元线、及该源极选择线与该第一有源区域相交，其中在一条漏极选择线与一条源极选择线之间形成多条字元线；结区域，形成在漏极选择线与相邻字元线之间、相邻字元线之间、及源极选择线与相邻字元线之间的第一有源区域上；漏极，形成在相邻漏极选择线之间的第一有源区域上；以及公共源极，形成在相邻源极选择线之间的第一有源区域和第二有源区域上。