| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基板；多个源极区域，其在该半导体基板上形成为条纹状；多个栅电极，其在所述半导体基板上的所述条纹状的多个源极区域间形成为条纹状；绝缘膜，其覆盖所述源极区域以及栅电极，并在与所述源极区域的长度方向相关的一部分规定区域上具有使源极区域局部露出的接触孔；和源电极，其形成在该绝缘膜上，经由所述接触孔与所述源极区域电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101176210A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200680016084.1 | 申请日期 | 2006.04.10 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 吉持贤一 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：半导体基板；多个源极区域，其在该半导体基板上形成为条纹状；多个栅电极，其在所述半导体基板上的所述条纹状的多个源极区域间形成为条纹状；绝缘膜，其覆盖所述源极区域以及栅电极，并在与所述源极区域的长度方向相关的一部分规定区域上具有使源极区域局部露出的接触孔；和源电极，其形成在该绝缘膜上，经由所述接触孔与所述源极区域电连接。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||