| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件。该半导体器件包括：半导体芯片；形成在半导体芯片上的布线层；在第一端处连接到布线层的柱状电极和形成在半导体芯片上的封装树脂。在该半导体器件中，柱状电极具有与第一端相对、从封装树脂突出的第二端，外部连接部件在第二端处连接到柱状电极，使得外部连接部件与封装树脂的表面分离。本发明可以防止在形成外部连接端子时和在安装半导体器件时相邻外部连接端子的短路(桥接)；此外，通过使外部连接端子和封装树脂彼此分离，可以使封装树脂变薄，并且可以减小半导体器件中存在的弯曲量。 | ||
| 申请公布号 | CN100386875C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200410085187.6 | 申请日期 | 2004.09.30 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 爱场喜孝;野本隆司 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑特强;经志强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一半导体芯片；形成在该半导体芯片上的布线层；一柱状电极，其第一端连接到该布线层；形成在该半导体芯片上的封装树脂；其中，该柱状电极具有与该第一端相对的、从该封装树脂突出的第二端，一外部连接部件在该第二端处连接到该柱状电极，并且该外部连接部件与该封装树脂的表面被该封装树脂与该外部连接部件之间的间距(H2)分离，其中，该柱状电极与该外部连接部件相接触的第二端的横截面积大于该柱状电极与该布线层相接触的第一端的横截面积。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||