| 发明名称 | 一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种图案化有源层有机薄膜晶体管的制作方法和有源矩阵液晶显示装置的制备方法。采用剥离技术图案化有源层，减少光刻过程中对有源层的损伤。本发明所构建的有机薄膜晶体管具有高的场效应迁移率，高的开关态电流比性质。图案化有源层有机薄膜晶体管制备方法还进一步应用于逻辑电路、有机薄膜太阳能电池和有机传感器等方面。 | ||
| 申请公布号 | CN100386886C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200510016695.3 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 闫东航;王贺;王军;严铉俊;史建武;李春红 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L51/05(2006.01);G02F1/1333(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种图案化有源层的有机薄膜晶体管制备方法，主要包括以下步骤：第一步，在衬底(1)上形成栅电极(2)；第二步，在衬底(1)和栅电极(2)上形成绝缘栅层(3)；第三步，在绝缘栅层(3)上形成源电极(4)和漏电极(5)；第四步，在源电极(4)、漏电极(5)和绝缘栅层(3)上形成光刻胶掩模版(7)；第五步，在光刻胶掩模版(7)、源电极(4)、漏电极(5)和绝缘栅层(3)上形成有机半导体层(6)和(8)；第六步，在光刻胶溶剂中剥离光刻胶掩模版(7)和非图形区的有机半导体(8)，形成图案化了的有机半导体层(6)；第七步，在真空中退火。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街5625号 | ||