| 发明名称 | 一种硅基电光材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基电光材料，该硅基电光材料是一种多周期结构的量子阱或超晶格材料，所述量子阱或超晶格材料的每个周期结构至少包括三个组分彼此不同的层，所述每个层含有硅或者硅和至少一种除硅以外的其它IV族元素。本发明提供的这种硅基电光材料，在亚微观结构上打破了硅材料的空间反演对称性，从而具有了较大的线性电光系数，满足了硅基光电子技术发展对硅基电光材料要求具有较大线性电光系数的需求。另外，本发明提供的这种硅基电光材料是制备在硅衬底上的，并且含有硅作为其主要的成分之一，因此容易实现与硅基材料和器件的光电子集成。 | ||
| 申请公布号 | CN101174034A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610114188.8 | 申请日期 | 2006.11.01 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵雷;左玉华;王启明 |
| 分类号 | G02F1/017(2006.01);G02F1/01(2006.01) | 主分类号 | G02F1/017(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种硅基电光材料，其特征在于，该硅基电光材料是一种多周期结构的量子阱或超晶格材料，所述量子阱或超晶格材料的每个周期结构至少包括三个组分彼此不同的层，所述每个层含有硅或者硅和至少一种除硅以外的其它IV族元素。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||