| 发明名称 | 磷化硼系半导体发光元件、其制造方法和发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的Ⅲ族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。 | ||
| 申请公布号 | CN100386889C | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200380103515.4 | 申请日期 | 2003.11.17 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆;笠原明 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);C23C16/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异质结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的III族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||