| 主权项 |
1.一种制作应变矽电晶体(strained-silicon transistors) 的方法,该方法包含有下列步骤: 提供一半导体基底,且该半导体基底上包含有至少 一闸极结构; 进行一蚀刻制程,以于该闸极结构相对两侧之该半 导体基底中形成二凹槽; 对该半导体基底进行一氧气冲洗(O2 flush); 对该半导体基底进行一清洗制程;以及 进行一选择性磊晶成长(selective epitaxial growth, SEG) 制程,以于该等凹槽内分别形成一磊晶层,当作源 极/汲极。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极结 构另包含有: 一闸极介电层; 一闸极,位于该闸极介电层之上; 一覆盖层(cap layer),位于该闸极之上;以及 一氧化物-氮化物-氧化物偏位侧壁子(ONO offset spacer)。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧气冲 洗(O2 flush)系为一现场(in-situ)步骤,实施于该蚀刻 制程之制程室(process chamber)中。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该清洗制 程之清洗溶液包含有硫酸、过氧化氢、与去离子 水之SPM混合溶液(sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture, SPM)及RCA标准清洗溶液,用以去除该半导体基底表 面之蚀刻残留物。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该磊晶层 包含有锗化矽(SixGe1-x,其中0<x<1)。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该应变矽 电晶体包含有P型金氧半导体(PMOS)电晶体。 7.一种制作应变矽互补式金氧半导体(strained-silicon CMOS)电晶体的方法,该方法包含有下列步骤: 提供一半导体基底,该半导体基底具有一NMOS电晶 体区以及一PMOS电晶体区,且于该NMOS电晶体区及该 PMOS电晶体区上各形成有一NMOS闸极以及一PMOS闸极; 于该半导体基底表面形成一牺牲层并覆盖该NMOS闸 极及该PMOS闸极; 进行一第一蚀刻制程,蚀刻该PMOS电晶体区之部分 该牺牲层,以于该PMOS闸极周围形成一侧壁子; 利用该牺牲层、该PMOS闸极与该侧壁子当作遮罩进 行一第二蚀刻制程,以于该PMOS闸极与该侧壁子相 对两侧之该半导体基底内形成二凹槽; 对该半导体基底进行一氧气冲洗(O2 flush); 对该半导体基底进行一清洗制程; 进行一选择性磊晶成长制程,以于该等凹槽内分别 形成一磊晶层,当作该PMOS电晶体之源极/汲极; 去除该牺牲层及该侧壁子;以及 形成该NMOS电晶体之源极/汲极。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该NMOS闸 极、该PMOS闸极与该半导体基底之间均另包含有一 闸极介电层,且该NMOS闸极及该PMOS闸极表面皆形成 有一覆盖层(cap layer)。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该覆盖层 包含有一矽氧层与一氮化矽层,而该牺牲层包含有 一矽氧层。 10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氧气 冲洗(O2 flush)系为一现场(in-situ)步骤,实施于该第 二蚀刻制程之制程室中。 11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该清洗 制程之清洗溶液包含有SPM混合溶液及RCA标准清洗 溶液,用以去除该半导体基底上之蚀刻残留物。 12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该磊晶 层包含有锗化矽。 13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中在进行 该第一蚀刻制程之前,另包含有一光阻层的形成步 骤,用以覆盖该NMOS电晶体区。 14.如申请专利范围第7项所述之方法,其中形成该 NMOS电晶体之该源极/汲极之步骤系利用以一离子 布植制程。 图式简单说明: 第1图至第3图为习知利用选择性磊晶成长制作一 电晶体的方法示意图。 第4图至第6图为本发明制作一应变矽PMOS电晶体的 方法示意图。 第7图至第10图为本发明制作一应变矽CMOS电晶体的 方法示意图。 |
