| 主权项 |
1.一种电子装置之制造方法,该电子装置具备形成 于外部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成 有缝隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电 连接之短路板,其特征为:在已排序之多个上述IC晶 片中,至少一个IC晶片与相对应之应载置之天线电 路上之特定位置对准,则剩余之IC晶片即可不必进 行高精确之对准而成批随其配置于天线电路上之 特定位置。 2.一种电子装置之制造方法,该电子装置具备形成 于外部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成 有缝隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电 连接之短路板,其特征为至少包括:利用第1金属箔 形成多个天线电路之工程与在底座基材上设置上 述天线电路以形成天线基板之工程或由设置于底 座基材上之第1金属箔设置多个天线电路以形成天 线基板之工程;以与将多个上述IC晶片配置于相对 应之应载置之上述多个天线电路上之特定位置时 之相同间隔排序用于排序多个上述IC晶片之纵列 或横列之中之至少一方之列之工程;在形成有第2 金属箔之短路板上藉由第1向异性导电性黏合剂层 成批暂时固定俾电连接已排序之多个上述IC晶片 以制作附有IC晶片之短路板之工程;对准附有上述 IC晶片之短路板,俾多个上述IC晶片电连接于上述 多个天线路上之特定位置之工程;以及透过第2向 异性导电性黏合剂层,将上述附有IC晶片之短路板 成批加热压接之工程。 3.一种电子装置之制造方法,该电子装置具备形成 于外部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成 有缝隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电 连接之短路板,其特征为至少包括:利用第1金属箔 形成多个天线电路之工程与在底座基材上设置上 述天线电路以形成天线基板之工程或由设置于底 座基材上之第1金属箔设置多个天线电路以形成天 线基板之工程;以与将多个上述IC晶片配置于相对 应之应载置之上述多个天线电路上之特定位置时 之相同间隔排序用于排序多个上述IC晶片之纵列 或横列之中之至少一方之列之工程;将已排序之多 个上述IC晶片成批对准俾多个上述IC晶片电连接于 相对应之应载置之上述多个天线电路上之特定位 置后,藉由第1向异性导电性黏合剂层暂时固定之 工程;将形成有第2金属箔之短路板对准俾电连接 于暂时固定之多个上述IC晶片及天线电路上之特 定位置之工程;以及透过第2向异性导电性黏合剂 层将短路板成批加热压接于多个上述IC晶片与天 线基板上。 4.一种电子装置之制造方法,该电子装置具备形成 于外部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成 有缝隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电 连接之短路板,其特征为至少包括:利用第1金属箔 形成天线电路之工程与在底座基材上设置上述天 线电路以形成天线基板之工程或由设置于底座基 材上之第1金属箔设置多个天线电路以形成天线基 板之工程;在上述天线电路上之特定位置形成第1 向异性导电性黏合剂层之工程;以与将多个上述IC 晶片配置于相对应之应载置之上述多个天线电路 上之特定位置时之相同间隔排序用于排序多个上 述IC晶片之纵列或横列之中之至少一方之列之工 程;在成批排序已排序于第1向异性导电性黏合剂 层上之多个上述IC晶片俾使多个上述IC晶片电连接 于相对应之应载置之上述多个天线电路上之特定 位置后,暂时固定之工程,在暂时固定之多个上述IC 晶片与天线电路上之特定位置上形成第2向异性导 电性黏合剂层之工程;将形成有第2金属箔之短路 板排序俾电连接于暂时固定之多个IC晶片与天线 电路上之特定位置之工程;以及将上述短路板成批 加热压接于多个上述IC晶片与天线基板上之工程 。 5.一种电子装置之制造方法,该电子装置具备形成 于外部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成 有缝隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电 连接之短路板,其特征为至少包括:将短路板分割 俾可将上述IC晶片排列于天线基板之宽度方向时 之列逐列成批加热压接之个数分做为一片之工程; 将上述短路板与被排列于天线基板之宽度方向之 天线电路之一列对准之工程;以及透过向异性导电 性黏合剂层将短路板成批加热压接于上述IC晶片 与天线基板上之工程。 6.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置之 制造方法,其中第1与第2金属箔之至少一方为铝。 7.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置之 制造方法,其中第1与第2金属箔之至少一方系由有 机树脂所形成之底座基材所支撑,而上述有机树脂 系由聚氯乙烯树脂(PVC),丙烯-丁二烯-苯乙烯(ABS) ,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),乙二醇改性聚对苯二 甲酸乙二醇酯(PETG),聚二甲酸乙二醇酯(PEN),聚碳 酸酯树脂(PC),双轴拉伸聚酯(O-PET),与聚醯亚胺树脂 所选择。 8.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置之 制造方法,其中第1与第2金属箔之至少一方系由纸 所形成之底座基材所支撑。 9.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置之 制造方法,其中利用第1与第2之向异性导电性黏合 剂层之加热压接,密封天线基板与短路板之空隙。 10.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置 之制造方法,其中在将多个IC晶片与天线基板及短 路板成批加热压接之工程后,有将连接之天线电路 切断成单独之个片之工程。 11.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置 之制造方法,其中以与将多个上述IC晶片配置于相 对应之应载置之上述多个天线电路上之特定位置 时之相同间隔排序用于排序多个上述IC晶片之纵 列或横列中之至少一方之列以及成批排序多个上 述IC晶片之方法,系利用形成有用于收容上述IC晶 片尺寸之凹部数个至数万个之夹具,并使夹具振动 以收容夹具上之上述IC晶片于各凹部之方法。 12.如申请专利范围第1至5项之任一项之电子装置 之制造方法,其中短路板与上述IC晶片及天线基板 系成批加热压接。 13.一种电子装置之构件,该电子装置具备形成于外 部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成有缝 隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电连接 之短路板,其特征为:系在附有上述IC晶片之外部电 极之每一面上形成有向异性导电性黏合剂层,且将 上述IC晶片以上述向异性导电性黏合剂层事先夹 入之状态下之半导体元件。 14.一种电子装置之构件,该电子装置具备形成于外 部电极相对向之一组之各面上之IC晶片,形成有缝 隙之收发信天线,以及将上述IC晶片与天线电连接 之短路板,其特征为:在附有上述IC晶片之外部电极 之每一面形成有向异性导电性黏合剂层,并在以上 述向异性导电性黏合剂层夹入上述IC晶片之状态 之半导体元件的上述向异性导电性黏合剂层中之 一方之表面事先再设置短路板。 图式简单说明: 图1为用于说明先前之制造方法之图。 图2为表示利本发明之制造方法所制得之嵌入物之 构造图。 图3为用于说明本发明之IC晶片之排序方法之一例 之图。 图4为用于说明本发明之第1实施形态之制造工程 图。 图5为用于说明本发明之第2实施形态之制造工程 图。 |
