| 主权项 |
1.一种介电层平坦化的方法,该方法包括: 提供一基底,该基底的正面上已形成具有一保护层 之复数个闸极结构,且该基底上已形成一介电层, 该介电层填满该些闸极结构间的空隙,且覆盖该保 护层;以及 以该保护层为研磨终止层,对该介电层进行一化学 机械研磨制程,其特征在于: 该化学机械研磨制程,系将该基底的正面压在一铺 有一固定研磨砂垫的研磨台上以研除部分该介电 层,其中,该固定研磨砂垫至少具有一基垫与固定 于该基垫上的复数个研磨砂;以及 该化学机械研磨制程系通入一不含金属离子的研 磨液。 2.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该不含金属离子的研磨液包括去离子纯水 。 3.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该些研磨砂的形状包括图柱状。 4.如申请专利范围第3项所述之介电层平坦化的方 法,其中该些研磨砂的高度在40-45 m之间。 5.如申请专利范围第3项所述之介电层平坦化的方 法,其中该些研磨砂的直径在150-250 m之间。 6.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,该方法适于平坦化记忆体之介电层。 7.如申请专利范围第6项所述之介电层平坦化的方 法,该方法适于平坦化罩幕式记忆体之介电层。 8.如申请专利范围第6项所述之介电层平坦化的方 法,该方法适于平坦化电性可抹除可程式唯读记忆 体之介电层。 9.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该些研磨砂藉由树脂固定于该基垫上。 10.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该介电层包括高密度电浆氧化层、电浆氧 化层、TEOS氧化层与氮氧化矽层其中之一。 11.如申请专利范围第1项所述之介电层平坦化的方 法,其中该保护层的材质包括氮化矽。 图式简单说明: 第1A图至第1F图是习知一种介电层平坦化流程剖面 示意图;以及 第2A图至第2E图是依照本发明一较佳实施例一种介 电层平坦化流程剖面示意图。 |
