| 主权项 |
1.一种感光性转印材料,其为在虚载体上至少具有 一含以下者之感光性层, i)具有可聚合不饱和键之硷可溶性树脂黏合剂, ii)具有至少一个可聚合不饱和键之单体, iii)在405nm以上波长光下具有感光性之光聚合起始 系统,及 iv)经可聚合分散剂所表面处理的着色剂。 2.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中虚 载体具有一含硷可溶性树脂之中间层。 3.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中可 聚合分散剂为硷可溶性。 4.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中虚 载体具有一含硷可溶性树脂之中间层,且可聚合分 散剂为硷可溶性。 5.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中感 光性层系为于曝光显像后具有吸光度大的波长范 围之感光性层。 6.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中虚 载体具有一含硷可溶性树脂之中间层,且感光性层 为于曝光显像后具有吸光度大的波长范围之感光 性层。 7.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中可 聚合分散剂为硷可溶性,感光性层为于曝光显像后 具有吸光度大的波长范围之感光性层。 8.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中虚 载体具有含硷可溶性树脂之中间层,可聚合分散剂 为硷可溶性,感光性层为于曝光显像后具有吸光度 大的波长范围之感光性层。 9.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中光 聚合起始剂含有吸收405nm以上波长之雷射光的增 感色素与聚合起始剂。 10.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中 虚载体具有一含硷可溶性树脂之中间层、且光聚 合起始剂含有吸收405nm以上波长之雷射光的增感 色素与聚合起始剂。 11.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中 可聚合分散剂为硷可溶性,光聚合起始系统含有吸 收405nm以上波长之雷射光的增感色素与聚合起始 剂。 12.如申请专利范围第1项之感光性转印材料,其中 虚载体具有一含硷可溶性树脂之中间层,可聚合分 散剂为硷可溶性,光聚合起始系统含有吸收405nm以 上波长之雷射光的增感色素与聚合起始剂。 13.如申请专利范围第5至12项中任一项之感光性转 印材料,其中吸光度大的波长范围为较405nm短的波 长范围。 14.如申请专利范围第5至12项中任一项之感光性转 印材料,其中吸光度大的波长范围为较405nm短的波 长范围,且吸光度为2.5以上。 15.如申请专利范围第5至12项中任一项之感光性转 印材料,其中吸光大的波长范围较380nm短的波长范 围,且感光波长范围为440nm以上之长波长范围。 16.如申请专利范围第5至12项中任一项之感光性转 印材料,其中吸光度大的波长范围较380nm短的波长 范围,吸光度为2.5以上,感光波长范围为440nm以上之 长波长范围。 17.如申请专利范围第5至12项中任一项之感光性转 印材料,其中吸光度在较380nm短的波长范围下为3以 上,且在480nm以上之感光波长范围中曝光显像前感 光性层之吸光度为2.4以下。 18.一种积层光罩材料,其特征为在光透过性基材上 使如申请专利范围第1至17项中任一项之感光性转 印材料在感光性转印材料之感光性层侧朝基材方 向积层。 19.一种积层光罩材料,其特征为至少在设置有遮光 层之光透过性基材上使如申请专利范围第1至17项 中任一项之感光性转印材料在感光性转印材料之 感光性层侧朝遮光层方向积层。 20.一种光罩,其系为在光透过性基材上设置至少遮 光层所成之光罩,其特征为遮光层为使含有 i)具有可聚合不饱和键之硷可溶性树脂黏合剂, ii)具有至少一个可聚合不饱和键之单体, iii)在405nm以上波长光下具有感光性之光聚合起始 系统,及 iv)经可聚合分散剂所表面处理的着色剂, 之感光性层以405nm以上波长光曝光显像之层。 21.一种光罩,其系为在光透过性基材上设置至少遮 光层所成之光罩,其特征为遮光层为使由如申请专 利范围第5至17项中任一项之感光性转印材料所成 的感光性层以405nm以上之波长光曝光显像层。 22.一种光罩,其系为在光透过性基材上设置至少一 含金属膜的遮光层之光罩,其特征为遮光层上设置 有由含有 i)具有可聚合不饱和键之硷可溶性树脂黏合剂, ii)具有至少一个可聚合不饱和键之单体, iii)在405nm以上波长光下具有感光性之光聚合起始 系统,及 iv)经可聚合分散剂所表面处理的着色剂, 之感光性层以405nm以上之波长光曝光显像的层所 成保护层。 23.一种光罩之制法,其至少具有在光透过性基材上 或设有含金属膜之遮光膜的光透过性基材上使如 申请专利范围第1至17项中任一项之感光性转印材 料朝向基材或遮光层积层于感光性层,且使感光性 层转印于基材或遮光层上并使虚载体剥离的步骤, 以及使感光性层以405nm以上波长光曝光后显像的 步骤。 24.一种光罩之制法,其至少具有在光透过性基材上 或设有含金属膜之遮光膜的光透过性之基材上使 如申请专利范围第1至17项中任一项之感光性转印 材料朝向基材或遮光性层积层于感光性层的步骤, 自感光性转印材料之处载体侧以405nm以上波长光 曝光的步骤,使虚载体剥离的感光性层进行显像的 步骤。 25.一种光罩之制法,其至少具有使如申请专利范围 第18项之光罩材料的虚载体剥离后,使感光性层以 405nm以上波长光曝光显像的步骤。 26.一种光罩之制法,其至少具有使如申请专利范围 第18项之光罩材料的虚载体侧以405nm以上波长光曝 光显像的步骤。 27.一种光罩之制法,其至少具有使如申请专利范围 第19项之光罩材料的虚载体剥离后,使感光性层以 405nm以上波长光曝光显像的步骤。 28.一种光罩之制法,其至少具有使如申请专利范围 第19项之光罩材料的虚载体侧以405nm以上波长光曝 光显像的步骤。 29.如申请专利范围第23至28项中任一项之光罩制法 ,其中对曝光处理后之感光性层而言,在120-250℃之 范围内进行加热处理。 30.如申请专利范围第23至28项中任一项之光罩制法 ,其中藉由曝光为405nm以上波长之雷射光进行。 31.如申请专利范围第23至28项中任一项之光罩制法 ,其中藉由曝光为405nm以上波长之雷射光进行,且对 显像处理后之感光性层而言在120-250℃之范围内进 行加热处理。 图式简单说明: 第1图系为实施例1中光罩材料之感光性层的吸光 度及光罩之遮光层的吸光度图。 第2图系为实施例2中光罩之遮光层的吸光度图。 |
