绝缘闸极型半导体装置之制造方法

摘要

以往，为了减少沟槽(trench)型MOSFET之电容，而在沟槽底部形成绝缘膜之电容层的方法已为众所周知。但难以稳定地形成绝缘膜之电容层。本发明提供一种绝缘闸极型半导体装置及其制造方法，系以无掺杂多晶矽形成电容层。与以氧化膜形成之电容层不同，可抑制裂缝的发生等，而形成稳定的电容层。此外，有关作为电容层所使用之多晶矽，也可以是掺杂之多晶矽，由于形成于多晶矽表面之氧化膜也可发挥电容膜之作用，因此可提供低电容之绝缘闸极型元件。

主权项

1.一种绝缘闸极型半导体装置之制造方法,系包括: 在一导电型之半导体基板表面形成逆导电型之通 道层之步骤; 形成贯穿前述通道层并到达前述半导体基板之沟 槽之步骤; 在前述沟槽内壁形成第1绝缘膜之步骤; 在前述沟槽底部埋设第1半导体层之步骤; 在前述沟槽内壁仍留有前述第1绝缘膜的状态下于 其上形成第2绝缘膜之步骤; 形成埋入前述沟槽且位于前述第1半导体层上之第 2半导体层之步骤;以及 在前述通道层表面邻接前述沟槽而形成一导电型 之源极区域之步骤。 2.如申请专利范围第1项之绝缘闸极型半导体装置 之制造方法,其中,前述第1半导体层系堆积无掺杂 多晶矽而形成者。 3.如申请专利范围第1项之绝缘闸极型半导体装置 之制造方法,其中,在前述沟槽内壁形成前述第1绝 缘膜后,埋设前述第1半导体层,之后在该沟槽内壁 形成前述第2绝缘膜。 图式简单说明: 第1图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之剖 面图。 第2图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之剖 面图。 第3图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之制 造方法的剖面图。 第4图(A)及(B)系说明本发明之绝缘闸极型半导体装 置之制造方法的剖面图。 第5图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之制 造方法的剖面图。 第6图(A)及(B)系说明本发明之绝缘闸极型半导体装 置之制造方法的剖面图。 第7图(A)及(B)系说明本发明之绝缘闸极型半导体装 置之制造方法的剖面图。 第8图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之制 造方法的剖面图。 第9图(A)及(B)系说明本发明之绝缘闸极型半导体装 置之制造方法的剖面图。 第10图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之 制造方法的剖面图。 第11图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之 制造方法的剖面图。 第12图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之 制造方法的剖面图。 第13图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之 制造方法的剖面图。 第14图系说明本发明之绝缘闸极型半导体装置之 制造方法的剖面图。 第15图系说明习知之绝缘闸极型半导体装置以及 其制造方法之剖面图。 第16图(A)至(C)系说明习知之绝缘闸极型半导体装 置之制造方法之剖面图。 第17图系说明习知之绝缘闸极型半导体装置以及 其制造方法之剖面图。