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发明名称
次微米尖端电极制造方法及装置
摘要
本发明系有关于一种次微米尖端电极的制造方法及装置,本发明方法先以逆向提拉方式(reversed-dip)蚀刻制程,控制蚀刻液之流速及流量进而控制金属线的蚀刻位置,来达到所要的电极形状及尺寸,制作成具有约10m半径尖端微钛电极,再以50Vol% CH3COOH,50%Vol H2O及5%Vol HCl为电解液做电解研磨制成次微米尖端之钛电极。
申请公布号
TW200819560
申请公布日期
2008.05.01
申请号
TW095140245
申请日期
2006.10.31
申请人
国立虎尾科技大学
发明人
余介文;杨启全;谢文瑜
分类号
C25F3/02(2006.01);C25F7/00(2006.01)
主分类号
C25F3/02(2006.01)
代理机构
代理人
林基源
主权项
地址
云林县虎尾镇文化路64号
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