发明名称 次微米尖端电极制造方法及装置
摘要 本发明系有关于一种次微米尖端电极的制造方法及装置,本发明方法先以逆向提拉方式(reversed-dip)蚀刻制程,控制蚀刻液之流速及流量进而控制金属线的蚀刻位置,来达到所要的电极形状及尺寸,制作成具有约10m半径尖端微钛电极,再以50Vol% CH3COOH,50%Vol H2O及5%Vol HCl为电解液做电解研磨制成次微米尖端之钛电极。
申请公布号 TW200819560 申请公布日期 2008.05.01
申请号 TW095140245 申请日期 2006.10.31
申请人 国立虎尾科技大学 发明人 余介文;杨启全;谢文瑜
分类号 C25F3/02(2006.01);C25F7/00(2006.01) 主分类号 C25F3/02(2006.01)
代理机构 代理人 林基源
主权项
地址 云林县虎尾镇文化路64号