| 摘要 |
一种改良式CMOS高电压闩锁将欲写入至一非挥发性记忆体之记忆体单元的资料位元储存,其具有二个交叉耦合式CMOS反相器。该等反相器之一具有一下拉接脚,该接脚包括一传递闸高电压NMOS电晶体,其连接于一闩锁输出节点与一第二高电压低临界値NMOS下拉电晶体之间,该第二高电压低临界値NMOS下拉电晶体系连接于接地。传递闸高电压NMOS电晶体之一闸极接收一具有一至多为Vdd之逻辑HIGH値的备用信号,以当该高电压CMOS闩锁在操作之一资料载入模式时及在操作之一高电压写入模式期间,可将该传递闸高电压NMOS电晶体导通。传递闸高电压NMOS电晶体藉此将横跨该第二高电压低临界値NMOS下拉电晶体之电压限制为较小于该备用信号,以便降低该第二高电压低临界値NMOS下拉电晶体之冲穿电流及汲极至基板漏电。 |
